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삼성전자가 8조원을 투자해 최첨단 낸드플래시 생산 라인을 증설한다.

낸드플래시는 전원이 끊겨도 저장된 데이터가 손상되지 않는 비휘발성 메모리 반도체의 일종이다.

삼성전자는 1일 평택캠퍼스 2라인(P2라인)에 낸드플래시 생산 라인을 추가로 구축한다고 밝혔다.

앞서 지난달 평택 2라인에 EUV 파운드리와 함께 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수한 바 있다.

내년 하반기부터 5나노 이하 EUV와 함께 최첨단 V낸드 제품 양산을 시작할 계획이다.

이번 투자로 평택캠퍼스는 지난 2015년 단지 조성을 위한 첫 삽을 뜬 지 5년 만에 메모리 반도체와 비메모리 반도체를 망라하는 최첨단 반도체 복합 생산기지로 거듭나게 됐다.

삼성전자 관계자는 "이번 낸드 추가 투자의 의미를 인공지능(AI), 사물인터넷(IoT) 등 4차 산업혁명 도래와 5G 보급에 따른 중장기 낸드 수요 확대에 대응하는 것"이라고 설명했다.

삼성전자 이재용 부회장은 지난해 4월 시스템 반도체 분야에 133조원을 투자하는 '반도체 비전 2020'을 발표한 이래 올해 2월 화성 EUV 전용 V1라인과 5월에는 중국 시안 반도체 공장을 방문했다. 이어 지난달 평택 파운드리 라인 투자에 이어서이번에 낸드 증설 투자까지 공격적인 행보를 이어오고 있다.
/이상훈기자 sh2018@biz-m.kr